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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW472953 | 具有低接触电阻値之功率MOSFET装置 | 2002.01.11 | 本创作揭示一种具有低接触电阻值之功率MOSFET装置，其特征在于该功率MOSFET装置之汲极金属接触 |
| 2 | TWI287840 | 自我对准沟渠式功率金氧半场效电晶体(MOSFET)装置及其制造方法 | 2007.10.01 | 本发明有关一种自我对准沟渠式功率金氧半场效电晶体装置，包含一汲极、一磊晶层、一阱层、一源极接触区、及 |
| 3 | TW483165 | 利用井区渐层式掺杂降低功率MOSFET漏电流及提升崩溃电压之方法及其装置 | 2002.04.11 | 一种降低漏电流及提升崩溃电压之功率MOSFET装置，其依序地具有N+矽基板之汲极，形成于该N+矽基板 |
| 4 | TW533487 | 改变功率电晶体闸极结构改善其切换速度之方法 | 2003.05.21 | 本发明系提供一种改变功率电晶体闸极结构改善其切换速度之方法，特别系指一种在晶圆制程中，于形成闸极氧化 |
| 5 | TW200411780 | 自我对准沟渠式功率金氧半场效电晶体(MOSFET)装置及其制造方法 | 2004.07.01 | 本发明有关一种自我对准沟渠式功率金氧半场效电晶体装置，包含一汲极、一磊晶层、一阱层、一源极接触区、及 |
| 6 | TW463298 | 利用离子植入技术提升功率MOSFET电晶体开关速率之方法及其装置 | 2001.11.11 | 本发明揭示一种可提升功率MOSFET电晶体装置开关速率及降低其漏电流之方法，其中该功率MOSFET电 |
| 7 | TW171080 | 多键盘输入处理电路 | 1991.10.11 | 一种多键盘输入处理电路，系包括有数组键盘信号输入处理电路，以处理复数个键盘输入之信号至一微处理机系统 |
| 8 | CN1217418C | 功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法 | 2005.08.31 | 本发明涉及一种功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法。该装置依次地具有N<SUP>+</SU |
| 9 | TWM262837 | 降低功率金氧半场效电晶体(MOSFET)导通电阻之封装打线改良装置 | 2005.04.21 | 本创作系有关一种降低功率金氧半场效电晶体(MOSFET)导通电阻之封装打线改良装置，其包括复数之金属 |
| 10 | CN1189938C | 无焊线式半导体装置及其封装方法 | 2005.02.16 | 本发明涉及一种无焊线式半导体装置及其封装方法，该半导体装置包括一半导体晶片，封装在一金属引线架上，底 |
| 11 | CN1542984A | 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法 | 2004.11.03 | 本发明涉及一种双沟渠式功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，其包括：一硅基板的汲极；形成在上述硅基板 |
| 12 | TW200421612 | 双沟渠式功率金氧半场效电晶体(MOSFET)装置及其制造方法 | 2004.10.16 | 本发明揭示一种双沟渠式功率金氧半场效电晶体装置，其可分别结合沟渠式及超级接面结构之低导通电阻，高崩溃 |
| 13 | CN1527403A | 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法 | 2004.09.08 | 本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置，该装置包含：一汲极，由硅基板形成；一磊晶层，形成 |
| 14 | TW200414407 | 藉由改变功率电晶体闸极氧化物层结构以增进开关切换速率之方法及装置(二) | 2004.08.01 | 本发明系揭示一种藉由改变功率电晶体闸极氧化物层(Gateoxide)结构以增进开关切换速率之方法及装 |
| 15 | TW200414402 | 藉由改变功率电晶体闸极氧化物层结构以增进开关切换速率之方法及装置 | 2004.08.01 | 本发明系揭示一种藉由改变功率电晶体闸极氧化物层(Gateoxide)结构以增进开关切换速率之方法及装 |
| 16 | TW200414532 | 闸极自我对准四道光罩功率电晶体装置及其制造方法 | 2004.08.01 | 本发明系提供一种闸极自我对准四道光罩功率电晶体装置及其制造方法，特别系指一种可减少光罩数目、减少制程 |
| 17 | TW200411925 | 高耐雪崩崩溃电压元件之装置,以及提高元件耐雪崩崩溃电压之方法 | 2004.07.01 | 本发明系揭示一种高耐雪崩崩溃电压元件之装置，特别系指一种高耐雪崩崩溃电压元件之装置，其具有一N^-磊 |
| 18 | CN1149650C | 充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法 | 2004.05.12 | 充电电池保护电路用功率场效应晶体管覆晶安装法含下列步骤：制造晶圆时将每两个晶体管的漏极金属接点串联成 |
| 19 | CN1472784A | 半导体功率元件装置及其封装方法 | 2004.02.04 | 本发明涉及一种用于降低导通电阻，提高导通电流及增加散热效率的半导体功率元件装置及封装方法，该装置将连 |
| 20 | TW574724 | 利用防卫环(Guard Ring)连接技术以达成功率半导体元件积体电路化之方法及装置 | 2004.02.01 | 本发明揭示一种利用防卫环连接技术以达成功率半导体元件积体电路化之方法，包含下列步骤：1.形成一垂直式 |
| 21 | CN1134832C | 导线架 | 2004.01.14 | 一种导线架，它摒弃脚位个别独立的设计，使导线架内部的脚位(如源极)以导线材质连接起来，以增加导线框脚 |
| 22 | TW569448 | 高耐雪崩崩溃电压元件之装置,以及提高元件耐雪崩崩溃电压之方法 | 2004.01.01 | 本发明系揭示一种高耐雪崩崩溃电压元件之装置，特别系指一种高耐雪崩崩溃电压元件之装置，其具有一N-磊晶 |
| 23 | CN1464539A | 降低高功率晶体管导通电阻的方法 | 2003.12.31 | 本发明提供一种降低高功率晶体管导通电阻的方法，特别指一种在晶圆制程中，在晶圆上生长一层垒晶层时，再生 |
| 24 | CN1434506A | 无焊线式半导体装置及其封装方法 | 2003.08.06 | 本发明涉及无焊线式半导体装置及其封装方法，该半导体装置包括一引线架，其一端形成有一扩大的设接面，并引 |
| 25 | CN1434507A | 无焊线式半导体装置及其封装方法 | 2003.08.06 | 本发明涉及一种无焊线式半导体装置及其封装方法，该半导体装置包括一半导体晶片，封装在一金属引线架上，底 |
| 26 | CN1428872A | 功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法 | 2003.07.09 | 本发明涉及一种功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法。该装置依次地具有N<SUP>+</SU |
| 27 | TW529145 | 无焊线式半导体装置及其封装方法(一) | 2003.04.21 | 一种无焊线式半导体装置，包括一半导体晶片，封装在一金属引线架上，底面至少有一接点与该引线架成电气性连 |
| 28 | CN1396663A | 绝缘双极性栅晶体管装置及制法、控制其切换速率的方法 | 2003.02.12 | 一种高技术性的绝缘双极性栅晶体管装置，其依次地具有p+硅基板的集极，形成于该p+硅基板上的n+缓冲层 |
| 29 | TW520107 | 单相降压型直流电源转换器整合式封装构造 | 2003.02.01 | 一种单相降压型直流电源转换器整合式封装构造，其中该电源转换器包括有稳压用两个串联之垂直式功率场效电晶 |
| 30 | TW511257 | 用于降低导通电阻之充电电池保护电路用功率电晶体的覆晶安装方法 | 2002.11.21 | 一种用于降低导通电阻之充电电池保护电路用功率电晶体的覆晶安装方法，该保护电路包括有功率场效电晶体及保 |
| 31 | CN1380688A | 充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法 | 2002.11.20 | 充电电池保护电路用功率场效应晶体管覆晶安装法含下列步骤:制造晶圆时将每两个晶体管的漏极金属接点串联成 |
| 32 | TW504816 | 无焊线式半导体装置及其封装方法(二) | 2002.10.01 | 一种无焊线式半导体装置，包括有一引线架，其一端形成有一扩大的设接面，另一端相对于此设接面延展形成有一 |
| 33 | TW503541 | 半导体功率元件之封装方法及其装置 | 2002.09.21 | 一种用于降低导通电阻，提高导通电流及增加散热效率之半导体功率元件装置，其包括：汲极接点分别固接在第一 |
| 34 | TW480720 | 降低磊晶层电阻値之沟渠式功率MOSFET装置及其制造方法 | 2002.03.21 | 本发明有关一种降低磊晶层电阻值之沟渠式功率MOSFET装置及其制造方法，其中该装置系采用一相同于源极 |
| 35 | TW478163 | 具有减少反向漏电流急变且提高耐雪崩崩溃电流能力之功率MOSFET装置及其制造方法 | 2002.03.01 | 本发明提供一种具有减少反向漏电流急变及提高耐雪崩崩溃电流能力之功率MOSFET装置，其依序地具有N+ |
| 36 | TW477072 | 在相同元件面积下以平面式技术取得具有沟渠式技术低导通电阻値之功率MOSFET装置及其制造方法 | 2002.02.21 | 本发明揭示一种在相同元件面积下以平面式技术取得具有沟渠式技术低导通电阻值之功率MOSFET装置及其制 |
| 37 | TW477071 | 平面式超低导通电阻値之功率MOSFET装置及其制造方法 | 2002.02.21 | 本发明揭示一种功率MOSFET装置之制造方法，其中该装置系采用一相同于闸极电极之导电型掺杂物的额外之 |
| 38 | TW477073 | 低导通电阻値功率MOSFET装置及其制造方法 | 2002.02.21 | 本发明揭示一种具有低导通电阻值功率MOSFET装置及其制造方法，其中该装置系使磊晶层接面电阻系数降低 |
| 39 | TW466766 | 降低导通电阻値及增加耐雪崩崩溃电流能力之功率MOSFET装置及其制造方法 | 2001.12.01 | 本发明揭示一种降低导通电阻值及增加耐雪崩崩溃电流能力之功率MOSFET装置及其制造方法，其中该装置系 |
| 40 | TW462082 | 沟渠式功率MOSFET之改良结构及其制造方法 | 2001.11.01 | 本发明揭示一种降低导通电阻值之沟渠式功率MOSFET之改良结构，其中该结构系采用一相同于闸极反转层之 |
| 41 | CN1304171A | 高功率半导体在塑胶封装产品中的导线架设计 | 2001.07.18 | 一种高功率半导体在塑胶封装产品中的导线架设计,它摒弃脚位个别独立的设计,使导线架内部的脚位(如源极) |
| 42 | TW375330 | 高功率电晶体在塑胶封装产品的导线架设计(一) | 1999.11.21 | 一种高功率电晶体在塑胶封装产品的导线架设计,系摒弃脚位个别独立的设计,使导线架内部的脚位(如源极)以 |
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